امروز یکشنبه , 13 آبان 1403
پاسخگویی شبانه روز (حتی ایام تعطیل)
دانلود تحقیق درمورد روش اندازه‌گيري در مقياس نانو
با دانلود تحقیق در مورد روش اندازه‌گيري در مقياس نانو در خدمت شما عزیزان هستیم.این تحقیق روش اندازه‌گيري در مقياس نانو را با فرمت word و قابل ویرایش و با قیمت بسیار مناسب برای شما قرار دادیم.جهت دانلود تحقیق روش اندازه‌گيري در مقياس نانو ادامه مطالب را بخوانید.
نام فایل:تحقیق در مورد روش اندازه‌گيري در مقياس نانو
فرمت فایل:word و قابل ویرایش
تعداد صفحات فایل:8 صفحه
قسمتی از فایل:مهندسان مركز تحقيق مواد پيشرفته، مشغول مطالعه بر روي يك روش اندازه‌گيري در مقياس‌نانو مي‌باشند كه به آنها اجازه مي‌دهد ساختارهاي نيمه‌هادي جديد را در مقياس اتمي مورد آزمايش قرار دهند، كه مي تواند راهگشاي نسل جديدي از وسايل الكترونيكي باشد.
دراين روش جديد از طراحي مدل كامپيوتري به همراه ميكروسكوپي الكترون عبوري بدون انحراف، كه مي‌تواند تا 0.7 آنگستروم را تفكيك كند استفاده مي‌شود. اكثر فواصل بين اتمي در بلورها، مانند سيليكون، كمتر از 0.1 نانومتر (يك آنگستروم) مي‌باشند.
توانايي مشاهده ساختارهاي اتمي امكان توليد ساختارهاي نيمه هادي پيشرفته، مثل ترانزيستورهاي اثر ميداني تيغه‌اي (ترانزيستوري كه جريان خروجي آن توسط يك ميدان الكتريكي متناوب كنترل مي‌شود و جايگزين ترانزيستورهاي قديمي خواهد شد) را افزايش مي دهد.
داي‌بولد، يکي از اعضاي اين تيم تحقيقاتي مي‌گويد: اصلاح انحراف ميكروسكوپ الكتروني، قدرت تفكيك آن را تغيير داده و پنجره جديدي رو به ساختارهاي اتمي فناوري‌نانو گشوده است. او افزود : با استفاده از مدل ها ما قادر خواهيم بود عكس ها را با دقت بيشتري شبيه سازي كرده و در نتيجه برداشت صحيحي از آنچه نگاه مي كنيم داشته باشيم.
دكتر برايان کوچ، استاد مهندسي شيمي دانشگاه تگزاس و مدير اين پروژه، مي‌گويد: هدف اين پروژه به كارگيري نرم‌افزارمنحصر به فرد براي شبيه‌سازي پراش الكتروني مدل‌هاي نانوسيم‌هايي است كه با قطري كمتر از 20 نانومتر، ابعادي شبيه نسل بعدي ورودي و خروجي هاي ترانزيستورها وساختارهاي تيغه‌اي ترانزيستورهاي اثر ميداني دارند. از آنجايي كه نانوسيم‌ها ساختارهاي ساده‌تري دارند، استفاده از آنها به محققان اجازه مي دهد كه روش‌هاي ميكروسكوپي جديد را براي نيازهاي علم اندازه‌گيري در آينده بهبود بخشند.
